Ⅲ-Ⅴ半导体材料非选择性湿法腐蚀液及制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种Ⅲ‑Ⅴ半导体材料非选择性湿法腐蚀液及制备方法与应用，该腐蚀液中各组成成份的重量百分比为：4％‑8％重铬酸钾、18％‑51％浓盐酸、36％‑66％磷酸、8％‑9％去离子水，通过该腐蚀液可实现以GaAs体系、InP体系、Ⅲ‑Ⅴ族所组合而成的单质、二元、三元、四元等为代表多元化合物材料的非选择性湿法腐蚀，同时也可实现对Ge衬底、Au/Ag/AuGeNi等金属材料的非选择性湿法腐蚀，该腐蚀配方不受外延参杂浓度的影响。本发明所述腐蚀液只需一道光刻保护即可完成，腐蚀偏差可控制在±4％以内，优于同类干法刻蚀工艺，且工艺简单、稳定、易行、物料成本低，适用于工业生产和实验室使用。