一种减小寄生电容的TFT阵列基板

摘要

本实用新型提供一种减小寄生电容的TFT阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，固定设置在玻璃衬底的上表面，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在第一金属层与玻璃衬底的上表面；导电层，内置于栅绝缘层；导电层穿过第一挖孔与第一金属层连接；有源层，固定设置在栅绝缘层的上表面；第二金属层，固定设置在栅绝缘层的上表面，还与有源层的一侧边连接，形成源极；第三金属层，与有源层的另一侧边连接，形成漏极。本实用新型的优点在于：在栅极与有源层中间的栅绝缘层中加入一个导电层，栅极通过导电层对有源层进行控制，在不影响对有源层的控制能力的前提下，通过增厚栅绝缘层从而增大栅极与源极之间的距离，减少栅极与源极之间的寄生电容。