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一种脉冲阳极氧化制备高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜制备的方法

摘要

一种脉冲阳极氧化制备高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜制备的方法,属于纳米管阵列薄膜技术领域。本发明采用方波阳极氧化技术在金属钛基体表面原位合成高度有序的二氧化钛纳米管阵列薄膜。获得的二氧化钛纳米管阵列薄膜是具有高度有序的二氧化钛纳米管阵列薄膜。将其在300‑600℃进行热处理保温1‑6h后可获得锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列薄膜。由此方法获得的二氧化钛纳米管阵列薄膜不仅在染料敏化太阳能电池、光催化、气敏传感器等领域具有广阔的应用前景,而且还可作为良好的模板进行制备二氧化钛纳米管阵列复合薄膜。所制备的二氧化钛纳米管阵列薄膜具有高度有序的排列结构。

著录项

  • 公开/公告号CN103924279B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201410143733.0

  • 发明设计人 李洪义;王金淑;苏鹏磊;王菲;

    申请日2014-04-10

  • 分类号

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:45:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2014-08-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/26 申请日:20140410

    实质审查的生效

  • 2014-07-16

    公开

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