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Fast Growth of Highly Ordered TiO2 Nanotube Arrays on Si Substrate under High-Field Anodization

机译:高场阳极氧化在硅基片上快速生长高度有序的TiO2纳米管阵列

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摘要

AbstractHighly ordered TiO2 nanotube arrays (NTAs) on Si substrate possess broad applications due to its high surface-to-volume ratio and novel functionalities, however, there are still some challenges on facile synthesis. Here, we report a simple and cost-effective high-field (90–180 V) anodization method to grow highly ordered TiO2 NTAs on Si substrate, and investigate the effect of anodization time, voltage, and fluoride content on the formation of TiO2 NTAs. The current density–time curves, recorded during anodization processes, can be used to determine the optimum anodization time. It is found that the growth rate of TiO2 NTAs is improved significantly under high field, which is nearly 8 times faster than that under low fields (40–60 V). The length and growth rate of the nanotubes are further increased with the increase of fluoride content in the electrolyte.
机译:摘要Si衬底上的高阶TiO2纳米管阵列(NTA)由于具有高的表面体积比和新颖的功能性而具有广阔的应用前景,但是在合成方面仍然存在一些挑战。在这里,我们报告了一种简单且经济高效的高场(90-180V)阳极氧化方法,可在Si衬底上生长高度有序的TiO2 NTA,并研究阳极氧化时间,电压和氟化物含量对TiO2 NTA形成的影响。在阳极氧化过程中记录的电流密度-时间曲线可用于确定最佳阳极氧化时间。发现在高电场下TiO2 NTA的生长速度显着提高,比低电场(40-60 V)下快近8倍。随着电解质中氟化物含量的增加,纳米管的长度和生长速率进一步增加。

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