区域光子晶体发光二极管器件

摘要

本发明涉及一种区域光子晶体发光二极管结构，该发光二极管结构自下而上依次包括衬底、n型GaN层、量子阱发光层、p型GaN层、透明导电层，在n型GaN层上设置n型电极，在透明导电层上设置p型电极。其中，反射光子晶体结构制作在p电极下面，透射光子晶体结构制作在p电极附近。通过本发明的在金属电极附近刻蚀形成的区域性光子晶体结构，能有效降低外延层的欧姆接触电阻，并进一步降低全区域刻蚀对有源区造成的损伤，使光子晶体的导光作用更为显著。本发明所提供该结构还能将射向金属电极附近的光全部反射和透射出芯片，实现电和光的通道隔离，从而显著提高LED的出光效率。