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多孔NiO/CeO2杂化纳米片阵列及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种多孔NiO/CeO2杂化纳米片阵列的制备方法及其用途。具体方法是将盐酸清洗后的泡沫镍置于含有硝酸铈、氟化铵和尿素的混合溶液中,在不同的温度下进行水热反应,从而获得NiO/CeO2杂化纳米片阵列的前驱体。随后对前驱体在空气中进行煅烧处理,制备多孔NiO/CeO2杂化纳米线阵列。其中多孔NiO/CeO2杂化纳米片的厚度约为10‑25 nm,纳米片上孔的直径为5‑40 nm。该杂化纳米片阵列具有良好的电化学性能,可以用作生物传感器的基体材料。

著录项

  • 公开/公告号CN104649337B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201510095023.X

  • 申请日2015-03-03

  • 分类号C01G53/04(20060101);C01F17/00(20060101);G01N27/26(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11212 北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人沈尚林

  • 地址 230000 安徽省合肥市屯溪路193号

  • 入库时间 2022-08-23 09:45:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    授权

    授权

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 53/04 申请日:20150303

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    公开

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