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一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法

摘要

本发明公开了一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法,先在清洗后的单晶硅片上镀或沉积一层纳米银粒子,通过一次刻蚀制备出具有较大孔洞的硅微纳米减反射织构,然后将硅微纳米孔洞织构在惰性气氛中退火处理,使纳米银粒子在高温下变为较小的球状并进行二次刻蚀,在较大的孔洞内形成较小孔洞的分层结构,之后利用浓硝酸去银,从而实现了对硅表面刻蚀结构的优化,提高了硅片的减反射效果。

著录项

  • 公开/公告号CN103887367B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西师范大学;

    申请/专利号CN201410081455.0

  • 申请日2014-03-06

  • 分类号

  • 代理机构西安永生专利代理有限责任公司;

  • 代理人高雪霞

  • 地址 710062 陕西省西安市长安南路199号

  • 入库时间 2022-08-23 09:44:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    授权

    授权

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20140306

    实质审查的生效

  • 2014-06-25

    公开

    公开

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