非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

摘要

本发明提供用于制造薄膜晶体管装置的系统、方法及设备。在一个方面中，提供衬底，其具有源极区域、漏极区域及介于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。所述衬底还包含氧化物半导体层、上覆在所述沟道区域上的第一电介质层，及在所述电介质层上的第一金属层。在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层上形成第二金属层。处理所述氧化物半导体层及所述第二金属层，以在上覆在所述源极区域及所述漏极区域上的所述氧化物半导体层中形成重掺杂n型氧化物半导体。还可在所述第二金属层中形成氧化物。