单片集成边耦合半导体激光器及多波长激光器阵列的制备方法

摘要

一种形成边耦合分布反馈（DFB）和重构等效啁啾（REC）等效相移的边耦合半导体激光器及激光器阵列制备方法，边耦合半导体激光器及激光器阵列从下到上结构为：在n型磷化铟衬底材料上外延n型缓冲层、晶格匹配下波导层、多量子阱、光栅材料层、上波导层、欧姆接触层。在外延片表面生长一层二氧化硅和薄金属铬层，用模板光刻技术，将设计好的采样光栅图案转移到薄金属铬层上；将采样光栅图案从光刻胶转移到二氧化硅层并去除残余光刻胶；之后用光刻方式在光刻胶上曝光定义出脊条波导，随后用湿法刻蚀先后去掉未被光刻胶遮盖的铬和二氧化硅，并暴露出脊条波导两侧壁和侧部平面将被大范围刻蚀的半导体表面；形成由三层材料构成的掩膜版。