一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片

摘要

本实用新型公开了一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，包括硅片主体，所述硅片主体的上表面设置有主栅线和副栅线，所述主栅线和副栅线的顶部设置有耐腐层，所述耐腐层的顶部设置有耐磨层，所述硅片主体包括N型单晶硅片和P型单晶硅片，所述N型单晶硅片的底部固定连接有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有镓晶体硅层，所述镓晶体硅层的顶部设置有单晶硅绒面层。本实用新型通过聚光层、增透层、镓晶体硅层和单晶硅绒面层的作用，使得本单晶硅片具备光电转换效率高的优点，解决了现有的单晶硅片在使用时照射的光能容易反射，导致单晶硅片对光能利用率达不到要求，进而降低了其光电转换效率的问题。