一种高雪崩耐量垂直双扩散MOS

摘要

本实用新型提供一种高雪崩耐量垂直双扩散MOS，它包括从下至上依次布置的N型衬底区和N‑外延层，在N‑外延层内部上方的左右两侧设有P阱区，在前述P阱区的正下方均设置有N埋层，在P阱区内部均布置有N+源区，在两个P阱区和中间位置的N‑外延层交界处的上表面设置有正面金属电极区，正面金属电极区内部下方布置有金属前介质BPSG。本实用新型通过在N‑外延层上注入并高温扩散形成N埋层，后经过扩散补偿将N埋层设置在P阱区正下方，最后在金属前介质BPSG上进行孔刻蚀后溅射金属形成正面金属电极区，改变了电流通路，使VDMOS在0.5mH固定电感下的雪崩耐量可以达到额定电流的3倍以上，不仅没有提高生产成本，还提高了产品性能，解决了行业难题。