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公开/公告号CN215691052U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 首都医科大学附属北京天坛医院;
申请/专利号CN202122341020.3
发明设计人 石林;张建国;张凯;孟凡刚;杨岸超;张华;刘焕光;朱冠宇;韩春雷;杨光;
申请日2021-09-27
分类号A61N1/05(20060101);A61B5/055(20060101);
代理机构11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人贾耀淇
地址 100070 北京市丰台区南四环西路119号
入库时间 2022-08-23 04:33:07
机译: 基于表面增强拉曼光谱的深部脑刺激装置和深部脑刺激方法
机译: 基于刺激场模型的深部脑刺激电极的最佳选择和放置
机译: 自适应深部脑刺激系统主动控制深部脑刺激的刺激模式
机译:CT / MRI融合技术对脑深部刺激电极位置定位的配准精度:影像学研究和系统评价
机译:基于磁共振的深部脑刺激技术:一系列478个连续植入的电极,无围手术期脑出血。
机译:用于深部脑刺激电极植入的基于框架和无框架立体定向导航的精度和精确度比较。
机译:一种基于微电极阵列的生物电子系统,其用于电生理测量的脑切片
机译:考虑到脑部移位后,可以对间接靶向进行标准化并为深部脑刺激手术建立电生理图。
机译:微电极引导电极植入大鼠的丘脑下核以长期进行深部脑刺激。
机译:CT / MRI融合对脑深部刺激电极位置定位的配准准确性:影像学研究和系统评价
机译:深部脑刺激植入过程中丘脑底核和黑质的放电模式。