公开/公告号CN215682783U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市联创电路有限公司;
申请/专利号CN202121873769.6
申请日2021-08-11
分类号H05K3/02(20060101);C23F1/08(20060101);
代理机构11499 北京市浩东律师事务所;
代理人迟爽
地址 518100 广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区燕川北部工业园E5栋101
入库时间 2022-08-23 04:19:05
机译: 一种用于蚀刻多层的方法-蚀刻性能低且蚀刻期间光致抗蚀剂的任何变化的光致抗蚀剂
机译: 一种通过在基板上形成一层或多层图形的方法,该方法是通过溅射蚀刻和薄板,特别是半导体器件,局部地去除一层或多层,用这种方法生产的。
机译: 蚀刻装置及使用该蚀刻装置的多层金属膜的蚀刻方法