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一种基于拓扑绝缘体的自旋极化电子源

摘要

本实用新型公开了一种基于拓扑绝缘体的自旋极化电子源,包括:圆偏振光生成部件、设有玻璃视窗的真空壳体和设于真空壳体内的拓扑绝缘体及静电透镜;所述圆偏振光生成部件生成左旋或右旋的圆偏振光,所述圆偏振光通过玻璃视窗进入真空壳体内,斜照射于所述拓扑绝缘体的表面激发自旋极化电子,所述静电透镜的光轴与拓扑绝缘体表面圆偏振光入射点处的法线方向重合,所述自旋极化电子通过静电透镜得到自旋极化电子束。本实用新型的自旋极化电子源结构简单,满足高效率获得束斑较小的自旋极化电子束的实验需求。

著录项

  • 公开/公告号CN215644381U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202121730654.1

  • 发明设计人 杨秀富;肖绍铸;何少龙;

    申请日2021-07-28

  • 分类号H01J37/06(20060101);H01J37/12(20060101);

  • 代理机构33224 杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘诚午

  • 地址 315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号

  • 入库时间 2022-08-23 04:11:40

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