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公开/公告号CN215270960U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 何金鑫;
申请/专利号CN202120417615.X
发明设计人 何金鑫;
申请日2021-02-24
分类号A44C17/00(20060101);
代理机构44611 深圳市广诺专利代理事务所(普通合伙);
代理人伍华荣
地址 518000 广东省深圳市福田区明月花园北座19D
入库时间 2022-08-23 03:45:15
机译: 一种评估钻石和其他宝石的颜色的方法,以及根据该方法分级的一组钻石或其他宝石的颜色
机译: 在硅晶片中生产部分单晶的碳化硅层的步骤包括:准备硅晶片;通过离子注入将碳离子注入到晶片中;以及使晶片经受热辐射源
机译: 同时选择选择性注入氧和氮的方法在半导体本体上同时生长具有不同厚度的氧化物层
机译:硅离子注入用于在蓝宝石上生长结构完美的硅层
机译:通过低能量碳离子注入将少数层石墨烯直接生长在SiO2基板上
机译:硅和碳离子双重注入下SiO_2层中形成的纳米尺寸夹杂物的发光和结构
机译:单晶钻石中碳离子注入引起的辐射损伤的透射电子显微镜调查
机译:注入温度和电离辐射对离子注入蓝宝石微观结构的影响。
机译:蓝宝石/铂上脉冲激光沉积生长的LuFeO3外延层的结构质量
机译:I.关于红宝石,蓝宝石,钻石和其他一些矿物质的结构
机译:从宝石到锂电池电极:钻石,红宝石(蓝宝石),尖晶石和橄榄石结构的重要性