一种能实现较大负古斯-汉森位移的光子晶体

摘要

本实用新型提供了一种能实现较大负古斯‑汉森位移的光子晶体，属于光学技术领域。包括石墨烯单层、两个周期性晶体结构和一个缺陷层，所述周期性晶体结构包括若干第一电介质层和若干与第一电介质层一一对应的第二电介质层，所述第一电介质层和第二电介质层交替分布，两个周期性晶体结构对称分布在石墨烯单层的两侧，所述缺陷层位于靠近出射方向的周期性晶体结构的外侧。本实用新型能够应用于科学上实验检测负古斯‑汉森位移的存在和角位移传感器。