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Cs2GeB4O9化合物及其单晶体

摘要

本发明涉及Cs2GeB4O9化合物及其单晶体、制备方法和用途。该化合物属于四方晶系,空间群为,晶胞参数为,α=β=γ=90°,Z=2,晶胞体积为。Cs2GeB4O9晶体的粉末倍频效应是KH2PO4(KDP)的2.8倍,紫外截止边位于198nm。

著录项

  • 公开/公告号CN102942189B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN201210372272.5

  • 发明设计人 毛江高;徐翔;

    申请日2012-09-29

  • 分类号C01B35/12(20060101);C30B29/22(20060101);C30B9/06(20060101);

  • 代理机构11540 北京元周律知识产权代理有限公司;

  • 代理人张莹

  • 地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号

  • 入库时间 2022-08-23 09:44:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    授权

    授权

  • 2015-08-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 35/12 申请日:20120929

    实质审查的生效

  • 2013-02-27

    公开

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