一种防范STI-CMP划伤的方法

摘要

本发明提供一种防范STI‑CMP划伤的方法，包括步骤：第一步，将晶片有源区表面的HDP‑OX(高密度等离子体氧化硅)磨掉，这时候晶片表面会形成倒掉的尖角；第二步，进行SiN的研磨并将SiN磨去一定的厚度，在第一步和第二步之间加入高压清洗步骤以清除掉到的尖角，从而防止晶片表面划伤。与现有技术相比，高压清洗步骤可以及时冲走倒掉的尖角，达到清洗晶片表面的作用，从而防止了STI‑CMP划伤。