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一种基于银和氧化石墨烯的CRS阻变存储器

摘要

本实用新型公开了一种CRS阻变存储器,所述阻变存储器包括衬底(1)和设置在其上方的阻变单元,所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极(2)、中间层和顶电极(3),所述阻变单元具有一个或多个。本实用新型提供的CRS阻变存储器,采用氧化石墨烯和银纳米粒子构成中间层,与顶电极和底电极构成一个或多个阻变单元,表现出CRS特性,有效解决了Crossbar阵列中未被选择单元的潜通路电流问题。

著录项

  • 公开/公告号CN215118943U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黑龙江大学;

    申请/专利号CN202120618979.4

  • 发明设计人 王璐;李文昊;温殿忠;

    申请日2021-03-26

  • 分类号H01L45/00(20060101);

  • 代理机构11426 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人潘炜;范国锋

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

  • 入库时间 2022-08-23 03:05:52

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