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公开/公告号CN215067652U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 宁波大学;
申请/专利号CN202120136827.0
发明设计人 王荣平;杨振;严昆仑;
申请日2021-01-19
分类号G02F1/39(20060101);H01S3/063(20060101);
代理机构33102 宁波诚源专利事务所有限公司;
代理人方闻俊;孙盼峰
地址 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号
入库时间 2022-08-23 02:55:38
机译: 平面光学波导型MACH-ZEHNDER电路,以及使用平面光学波导型MACH-ZEHNDER电路的平板光学波导电路和光学多路复用器/解复用器
机译: 光学设备用于光学放大器的人造包层光栅型元件具有逐渐减小的锥度,其折射率逐渐适应最小确定长度,从而减少了在波导通过过程中出现的折射率差
机译: 波导型光学放大器的方法和波导型光学放大器
机译:下一代光学星际通信设备的开发(3)-平面波导型光放大器
机译:一种新型可拆卸光学设备,用于通过被动对准将单模平面波导耦合到多光纤阵列
机译:NIR发光Er〜(3 +)/ Yb〜(3+)共掺杂SiO_2-ZrO_2纳米结构平面和沟道波导:光学和结构性质
机译:通过溅射方法制造的平面光波导型光学放大器
机译:基于平面波导集成光学器件的光谱编码系统。
机译:折射率和光谱性质设计ER3 + - 拆卸SIO2-TA2O5电影作为多功能平面波导平台用于光学传感器和放大器
机译:折射率和光谱性能设计ER3 +掺杂的SiO2-TA2O5薄膜作为光学传感器和放大器的多功能平面波导平台
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长