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一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器

摘要

本实用新型属光学传感技术领域,提出一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器,沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底;每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔;无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方,该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时,小分子可以渗透到无序多孔硅层,而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层;与双层无序多孔硅结构相比,本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度,还降低了响应时间;与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比,具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。

著录项

  • 公开/公告号CN215448982U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州大学;

    申请/专利号CN202120951134.7

  • 申请日2021-05-06

  • 分类号G01N21/45(20060101);

  • 代理机构32345 苏州智品专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王利斌

  • 地址 215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

  • 入库时间 2022-08-23 02:49:52

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