公开/公告号CN214901634U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 上海奉天电子股份有限公司;
申请/专利号CN202121281481.X
申请日2021-06-09
分类号H05K5/02(20060101);H05K5/00(20060101);H05K5/03(20060101);H05K7/20(20060101);
代理机构
代理人
地址 201800 上海市嘉定区恒永路518弄1号B区501-1
入库时间 2022-08-23 02:19:35
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种用于制造用于保护声学装置的多层纺织结构的方法,一种用于通过多层纺织结构保护声学器件的组件,以及获得的声学器件保护部件
机译: 还公开了一种低成本地实现和维持用于娱乐目的的超过15000 m3的大型水体的方法,该方法包括一种结构,该结构能够容纳大量水体,给水结构上料,测量pH值,添加氧化剂和絮凝剂。 。结构和汽车