首页> 中国专利> 沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试图形及其形成方法

沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试图形及其形成方法

摘要

本发明提供一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形,所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽,所述沟槽包括底面和从所述底面延伸出的两个侧面,所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90o的预定角度的方式形成在所述衬底上的。本发明的测试图形,可在不改变沟槽宽度的情况下,延长台阶扫描设备的扫描长度。

著录项

  • 公开/公告号CN102915999B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡华润上华半导体有限公司;

    申请/专利号CN201110220937.6

  • 发明设计人 卞铮;

    申请日2011-08-03

  • 分类号H01L23/544(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杜娟娟;高为

  • 地址 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:44:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-15

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/544 登记生效日:20171127 变更前: 变更后: 申请日:20110803

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-08-03

    授权

    授权

  • 2016-08-03

    授权

    授权

  • 2013-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20110803

    实质审查的生效

  • 2013-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20110803

    实质审查的生效

  • 2013-02-06

    公开

    公开

  • 2013-02-06

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号