公开/公告号CN214851945U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 欧跃半导体(西安)有限公司;
申请/专利号CN202121267031.5
申请日2021-06-08
分类号H05F3/04(20060101);H05K7/14(20060101);
代理机构61233 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李英俊
地址 710000 陕西省西安市高新区丈八街办上林苑一路15号A栋A-205室
入库时间 2022-08-23 02:10:41
机译: 具有双向数字NMOS的双向SCR结构的ESD保护器件
机译: 具有SCR结构的ESD保护器件,用于半导体集成电路
机译: 具有SCR结构的ESD保护器件,用于半导体集成电路