公开/公告号CN214798981U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 广州市君盘实业股份有限公司;
申请/专利号CN202121168935.2
发明设计人 徐成宪;
申请日2021-05-28
分类号H02J7/00(20060101);H02M7/44(20060101);H02M1/08(20060101);H02H7/20(20060101);H02H7/18(20060101);
代理机构44614 广州市律帆知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王园园
地址 510800 广东省广州市花都区顺祥路15号空港微观产业园A栋4楼
入库时间 2022-08-23 02:03:29
机译: 3--制备基团-氮化物半导体晶体的方法制备基于氮化镓的复合半导体-基于氮化镓的复合半导体-镓镓的半导体-光导体-光导体-装置的发光装置和设备
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件