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公开/公告号CN214655215U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 松山湖材料实验室;
申请/专利号CN202023032397.2
发明设计人 宋光耀;田修波;李建伟;
申请日2020-12-16
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/16(20060101);
代理机构44218 深圳市千纳专利代理有限公司;
代理人陈培琼
地址 523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
入库时间 2022-08-23 01:44:35
机译: 磁控阴极和包括该磁控阴极的磁控溅射设备
机译: 磁控阴极溅射的磁控阴极
机译:基于磁控枪的电子加速器使用具有二次发射阴极的磁控枪,用于照射扁平和圆柱形的材料表面
机译:04用磁盘阴极的平面磁控磁像磁带剖面近似
机译:带有冷磁控阴极和磁等离子体压缩的离子源
机译:较高的性能圆柱形目标材料和旋转溅射磁控磁控磁控磁控磁阻会会满足光伏应用的即将到来的挑战
机译:旋转轨道耦合校正中的超快磁控控制
机译:合成核-PNIPAM壳层的磁控和磁热致动纳米粒子
机译:用磁控和磁控法控制石墨烯中的自旋极化 旋转轨道散射体
机译:平面磁控阴极设计模型