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一种基于全介质toroidal模的Fano共振传感器

摘要

本实用新型公开了一种基于全介质toroidal模的Fano共振传感器,通过若干组所述磁环偶极子单元周期阵列,同时由于所述磁环偶极子单元结构是全介质的,没有焦耳损耗,解决了非辐射损耗问题,即焦耳损耗问题;而磁偶极子相互共振耦合形成磁环形偶极子共振模式,此时的电磁场被局域在环形空间内,因而辐射损耗较小,解决了辐射损耗问题,产生了高品质因子Fano共振,磁环形偶极子的形成,有利于电磁场的增强,增强了光与物质的相互作用,对周围媒介环境敏感,进一步增强传感器的灵敏度。

著录项

  • 公开/公告号CN214374290U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林电子科技大学;

    申请/专利号CN202120397071.5

  • 申请日2021-02-23

  • 分类号G01N21/45(20060101);G01N21/59(20060101);

  • 代理机构45134 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人白洪

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

  • 入库时间 2022-08-23 00:52:19

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