一种PBn型InAsSb红外探测器材料结构

摘要

本实用新型涉及一种PBn型InAsSb红外探测器材料结构，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料结构从上向下依次为100nm～300nm厚的顶电极接触层、100nm～200nm厚的势垒层、2000nm～3000nm厚的吸收层、200nm～500nm厚的底电极接触层、50nm～200nm厚的缓冲层以及衬底。所述材料结构制成的红外探测器暗电流小，探测器的背景限温度提高，降低了红外探测器组件对制冷的要求，以此减小整体的体积、重量、功耗以及成本，可以提升系统可靠性，延长系统寿命。