公开/公告号CN214204765U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 扬州欧美华尔街教育科技有限公司;
申请/专利号CN202120197675.5
发明设计人 童乐;
申请日2021-01-25
分类号H02G3/04(20060101);
代理机构11825 北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人田江飞
地址 225000 江苏省扬州市扬子江中路617号崇文国际大厦1408室
入库时间 2022-08-23 00:22:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02G 3/04 专利号:ZL2021201976755 申请日:20210125 授权公告日:20210914
专利权的终止
机译: 具有降低寄生电感和/或寄生电容的半导体器件,该寄生电感和/或寄生电容已添加到连接电感器和MOS压敏电阻的电线上
机译: 在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
机译: 降低寄生电容并将其耦合到电感耦合器模式