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应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置

摘要

本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置,该装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和连接部,所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口,所述装置本体的底端设有入口;所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处;所述连接部设置在所述盖体顶部,用于连接籽晶连接杆。该杂质浮渣清除装置可以用于锗单晶生长过程中,能够快速、干净有效去除熔体表面杂质浮渣。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    专利权的转移 IPC(主分类):C30B29/08 专利号:ZL202022840437X 登记生效日:20220301 变更事项:专利权人 变更前权利人:有研光电新材料有限责任公司 变更后权利人:有研国晶辉新材料有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:065001 河北省廊坊市廊坊开发区百合道4号 变更后权利人:065201 河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部

    专利申请权、专利权的转移

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