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一种支持宽电平范围高速率数据的电平转换结构

摘要

本实用新型公开一种支持宽电平范围高速率数据的电平转换结构,属于集成电路I/O端口设计领域。反相器INV1的输入端接输入压焊点IN,输出端接NMOS管N1的栅端;NMOS管N1的漏端分别连接PMOS管P1的漏端和PMOS管P2的栅端;PMOS管P2的漏端与PMOS管P3的源端相连接;PMOS管P3的栅端和NMOS管N2的栅端均与输入压焊点IN连接,PMOS管P3的漏端和NMOS管N2的漏端均连接输出压焊点OUT。本实用新型的电平转换结构最高支持500Mbps的电平转换,在下拉时减少电平转换输出级PMOS管和NMOS管的竞争,有效地提高了电平转换过程中下拉的速度,解决了普通电平转换电路高速率数据和宽电平范围无法兼容的问题;并且此结构器件简单,器件可靠性更高,应用范围广,适用于多电压域的芯片设计中。

著录项

  • 公开/公告号CN214101345U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202023047929.X

  • 发明设计人 万璐绪;贺凌炜;高国平;

    申请日2020-12-17

  • 分类号H03K19/0185(20060101);

  • 代理机构32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人杨立秋

  • 地址 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

  • 入库时间 2022-08-23 00:02:52

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