公开/公告号CN213815657U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 温州东爵线缆有限公司;
申请/专利号CN202120079049.6
申请日2021-01-12
分类号H01B13/14(20060101);B29C48/32(20190101);
代理机构32344 苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王超
地址 325600 浙江省温州市乐清市乐清经济开发区纬十七路288号
入库时间 2022-08-22 23:13:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B13/14 专利号:ZL2021200790496 申请日:20210112 授权公告日:20210727
专利权的终止
机译: 多晶硅:硅CMP处理高密度DRAM存储器单元结构-包括沉积第一和第二绝缘层,第一和第二多晶硅:第三绝缘层,去除多余的第二多晶硅:和第三绝缘层,形成电介质并沉积第三多晶硅:硅
机译: 具有第二绝缘层的半导体器件,该第二绝缘层以比第一绝缘层低的密度包括碳或氟
机译: 一种半导体器件,包括至少一个凹陷的绝缘层,该凹陷的绝缘层至少局部地邻接在嵌入式绝缘层上,并且可以用于制造该绝缘层。