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石墨烯量子点/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)材料的存储器件及制备

摘要

本发明公开了一种基于水溶性石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的记忆存储器件及其制备方法。本发明的记忆存储器件是由下电极、旋涂在下电极上的水溶性石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为存储器件的有机记忆存储层、沉积在有机记忆存储层上的上电极组成。通过调控复合材料中石墨烯量子点的含量,可调控基于该复合材料的存储器件的存储类型,开启电压和开关电流比。本发明工艺简单,实验条件温和,还可通过柔性基底电极构造柔性存储器件。

著录项

  • 公开/公告号CN103618046B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉工程大学;

    申请/专利号CN201310552513.9

  • 申请日2013-11-08

  • 分类号H01L45/00(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人崔友明

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

  • 入库时间 2022-08-23 09:43:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    授权

    授权

  • 2014-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20131108

    实质审查的生效

  • 2014-03-05

    公开

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