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一种电压源串联遗忘忆阻突触结构及图片存储器

摘要

本实用新型公开了一种电压源串联遗忘忆阻突触结构及图片存储器,涉及电力电子技术领域,解决了现有忆阻器突触功能单一、对忆阻器要求较高的问题,其技术方案要点是:包括电压源、第一忆阻器、第二忆阻器,电压源的正极与第一忆阻器、第二忆阻器依次串联后连接电流输出端,电压源的负极接地。本实用新型提供的电压源串联遗忘忆阻突触结构,设置不同参数对忆阻器的遗忘特性进行调整和控制,同时具有长短时记忆功能;其短时记忆权值通过时间变化自动切换成长时记忆权值,不需要外加信号,因此遗忘突触也不会增加系统的功耗。对比传统突触,遗忘突触更具有应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN213583122U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南大学;

    申请/专利号CN202023025542.4

  • 发明设计人 陈玲;刘轶;李传东;周颖华;

    申请日2020-12-15

  • 分类号G11C13/00(20060101);H01L45/00(20060101);

  • 代理机构51304 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人何健雄;廖祥文

  • 地址 400715 重庆市北碚区天生路2号

  • 入库时间 2022-08-22 22:32:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C13/00 专利号:ZL2020230255424 申请日:20201215 授权公告日:20210629

    专利权的终止

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