公开/公告号CN213585599U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽省东科半导体有限公司;
申请/专利号CN202022825406.7
申请日2020-11-30
分类号H02M7/04(20060101);H02M7/217(20060101);H02M1/14(20060101);
代理机构51251 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人成实;饶振浪
地址 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401
入库时间 2022-08-22 22:32:15
机译: 用于高密度光学设备的自适应写入过程及其电路,更具体地,一种用于优化光源(例如,激光二极管)的光功率的自适应写入过程,其适合于记录装置的特性,并为其提供电路。
机译: 一种用于保持保持时间,同时减小大容量电容器尺寸并提高电源效率的电路
机译: 一种用于保持保持时间,同时减小大容量电容器尺寸并提高电源效率的电路