公开/公告号CN213585603U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 南京志卓电子科技有限公司;
申请/专利号CN202022401871.8
发明设计人 施濠泷;
申请日2020-10-26
分类号H02M7/5387(20070101);H02M7/5395(20060101);
代理机构11676 北京华际知识产权代理有限公司;
代理人王超
地址 210031 江苏省南京市江北新区柳州北路22号
入库时间 2022-08-22 22:32:15
机译: 降低基于功率MOSFET的电路中的换向噪声-使用三个半桥电路,每个半桥电路具有两对并联的MOSFET器件,并通过二极管耦合,用于三相逆变器功能
机译: 用于大功率器件应用的碳化硅自对准外延MOSFET的制造方法
机译: 用于大功率器件的碳化硅自对准外延MOSFET的制造方法