基于Ⅲ－氮化物半导体超晶格的单极发光器件

摘要

公开了有效利用两个n型III-氮化物半导体超晶体之间的“p-n结”的基于III-氮化物半导体的单极发光器件(ULED)的制造方法。这样的器件在正向偏置时和现有发光器件一样地工作，但是其发射不是因电子和空穴的再合并引起的，而是因电子从浅子带超晶格向深子带超晶格跃迁而引起的。