公开/公告号CN213241941U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 上海明矽微电子有限公司;
申请/专利号CN202022130747.2
申请日2020-09-25
分类号G11B33/14(20060101);G11C16/04(20060101);
代理机构
代理人
地址 201306 上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
入库时间 2022-08-22 21:35:15
机译: (EEPROM)单元,用于形成EEPROM双栅极场效应晶体管的方法以及用于形成EEPROM存储阵列(FLASH EEPROM)的方法
机译: 一种对NMOS EEPROM单元进行编程和擦除的方法,该方法可最大程度地减少位干扰和电压,并满足存储阵列和支持电路的要求
机译: 一种对NMOS EEPROM单元进行编程和擦除的方法,该方法可最大程度地减少位干扰和电压,并满足存储阵列和支持电路的要求