一种以Ni-Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片

摘要

本实用新型涉及元器件芯片技术领域，且公开了一种以Ni‑Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，包括壳体和压电陶瓷频率元器件芯片本体，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体放置于壳体的内侧壁，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体的上端固定连接有第一Ni‑Cu膜层，所述第一Ni‑Cu膜层的上端固定包覆有第一Ag膜层，所述第一Ag膜层的上端固定连接有第一纳米抗氧化层，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体的下端固定连接有第二Ni‑Cu膜层，所述第二Ni‑Cu膜层的下端固定包覆有第二Ag膜层，所述第二Ag膜层的下端固定连接有金属导出层。本实用新型提高了设备的使用寿命，减少了设备损坏，提高了人们对芯片的拆卸更换效率，方便了人们使用。