公开/公告号CN213124809U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 山一电机株式会社;
申请/专利号CN202022359112.X
申请日2020-10-21
分类号H01R13/405(20060101);H01R13/6461(20110101);H01R13/648(20060101);H01R33/74(20060101);
代理机构11807 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人李永虎;李伟波
地址 日本东京都大田区南蒲田2-16-2
入库时间 2022-08-22 21:14:46
机译: p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译: 用于高密度互连的可插拔LGA插座
机译: LGA插座具有改进的高速差分信号性能