公开/公告号CN212893929U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州希夫安材料科技有限公司;
申请/专利号CN202021864203.2
申请日2020-08-31
分类号C01B32/15(20170101);H01G11/86(20130101);H01G11/36(20130101);H01G11/24(20130101);H01M4/583(20100101);
代理机构42224 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙);
代理人张英
地址 215131 江苏省苏州市相城区高铁新城青龙港路60号港口大厦9层A008工位(集群登记)
入库时间 2022-08-22 20:39:44
机译: 包含硅,钛和斜坡的氧化物的合成晶体和多孔材料的制备方法,基于合成晶体和多孔材料的催化剂。和基于包含硅,钛和砷化物的氧化物的合成晶体和多孔材料制备催化剂的方法
机译: 柔软的神经电极基于三维多孔石墨烯泡沫材料及使用三维多孔石墨烯泡沫材料制备骨缺损填料
机译: 基于多孔硅的阳极活性材料制备方法及包括该材料的锂二次电池