用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路

摘要

本实用新型提供一种应用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及测试电路，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－1000um，所述鳍之间的距离为：1－100nm之间；上述用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构根据FINFET工艺的特点设计，结构简单易于制造。并且测试可靠性高，能够准确探测并对比边缘鳍的形变程度，从而监控集成电路制造工艺，帮助制造者及时发现问题、及时改进制造方案，极大地节约生产成本投入。