公开/公告号CN212726991U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 保定中创电子科技有限公司;
申请/专利号CN202021733385.X
申请日2020-08-15
分类号H03K21/40(20060101);
代理机构
代理人
地址 071000 河北省保定市复兴中路3100号华科物业楼A号
入库时间 2022-08-22 20:10:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K21/40 专利号:ZL202021733385X 申请日:20200815 授权公告日:20210316
专利权的终止
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 微阀,一种制造相同阀的方法以及一种微流体芯片,该微流体芯片能够通过在微孔中通过基于孔的下侧包括基于聚合物的锡膜来改善阀的功能,从而提高阀的功能
机译: 电化学传感器作为一种基于氧化还原循环原理的生物芯片,其一个电路是耦合至传感器电极的恒电位仪,第二个电路具有用于电位比较的电容器