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一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚

摘要

本申请提供了一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚,通过坩埚体中SiC多晶料的上方依次设置气流匀化件和盖板。其中,气流匀化件包括平板、设置在平板上的密封盖,密封盖设置在平板中靠近盖板的一侧;平板的外周与坩埚体的内壁相接触,平板的中心开设有通孔;密封盖包括底壁以及从底壁延伸出的侧壁,侧壁上开设有多个通孔,密封盖通过其侧壁扣合在平板的通孔上。这样,在单晶生长时,SiC多晶料分解产生的气流经过平板和密封盖上的通孔后,气流的传输从原来的以对流为主的模式变成以扩散为主的模式,由于扩散模式气流传输速度相比于对流模式慢,所以碳颗粒会沉积下来,进而可以有效减少碳化硅单晶中的碳包裹体。

著录项

  • 公开/公告号CN212610986U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广州南砂晶圆半导体技术有限公司;

    申请/专利号CN202021257677.0

  • 发明设计人 徐南;于国建;王垚浩;徐现刚;

    申请日2020-07-01

  • 分类号C30B23/00(20060101);C30B29/36(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 511458 广东省广州市南沙区珠江街南江路7号自编2栋201室

  • 入库时间 2022-08-22 19:54:31

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