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生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统

摘要

本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统,解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。包括单晶炉支架(33)、真空泵(36)、充氩气装置、循环水冷装置(37)、电控柜(34)和驱动轴升降驱动装置(38),在单晶炉支架(33)上,分别设置有下炉体(1)和上炉体(3),在下炉体(1)的炉底板中央处,设置有驱动轴伸出孔(24),在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴(23),在伸入到炉体内腔中的驱动轴(23)的顶端设置有石英坩埚(16),在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管(17),设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置(38)机械连接;实现了大直径碲化汞晶体的生长。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-05

    专利权的转移 IPC(主分类):C30B13/00 专利号:ZL2020219846516 登记生效日:20230423 变更事项:专利权人 变更前权利人:西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 变更后权利人:太原艺星科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:030024 山西省太原市万柏林区和平南路115号 变更后权利人:030024 山西省太原市万柏林区和平南路115号中国电科二所所区院内

    专利申请权、专利权的转移

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