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公开/公告号CN212375376U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 西北工业大学;
申请/专利号CN202020610039.6
发明设计人 张雨雷;张建;付艳芹;
申请日2020-04-21
分类号C23C16/448(20060101);C23C16/52(20060101);
代理机构61204 西北工业大学专利中心;
代理人王鲜凯
地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号
入库时间 2022-08-22 19:13:20
机译: 基于线性硅前驱体和有机致孔剂的杂化系统的等离子增强化学气相沉积(PECVD)超低介电材料
机译: 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅阻挡层,用于高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)介电层
机译:一种通过大气压等离子体化学气相沉积(APCVD)和燃烧化学气相沉积(CCVD)创建含银抗菌涂层的方法
机译:双(哌啶二硫代氨基甲酸酯)吡啶镉(n)作为单源前驱体,用于CdS纳米颗粒的合成和CdS薄膜的气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)
机译:八核双金属单源前驱体通过气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制成的CdTiO3薄膜
机译:β-二酮酸酯为前驱体,通过低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的氧化RB和氧化ADO高K介电薄膜的比较研究
机译:通过大气压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)开发用于氧化锌薄膜生长的新型单源前驱体,用于微电子器件。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:使用二硫代氨基甲酸锡(II)作为单源前驱体的气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)的硫化锡(SnS)薄膜
机译:使用Inline mW RpECVD(microWave远程等离子体增强化学气相沉积)系统进行连续siN(sub x)等离子体处理