一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路及装置

摘要

本实用新型公开了一种用NMOS做零位的IGBT推挽电路，所述电路包括PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和IGBT模块，所述IGBT模块的集电极连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接电源，所述IGBT模块的发射极接地，所述IGBT模块的门极分别连接电阻R3的一端和电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端连接PMOS管，所述电阻R4的另一端连接第二NMOS管；所述PMOS管的漏极连接电阻R3的另一端，所述PMOS管的源极接入电压，所述PMOS管的源极还连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端连接第一NMOS管，所述PMOS管的栅极连接电阻R5的一端；所述第二NMOS管的漏极连接电阻R4的另一端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接电阻R5的一端。本实用新型电路结构简单，性能稳定，大大降低了生产成本。