一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSFET器件

摘要

本实用新型实施例公开了一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSFET器件，其中每个元胞结构的第一导电类型碳化硅衬底上设有第一导电类型的碳化硅外延层；第一导电类型的碳化硅外延层中分别注入设有第二导电类型体区、第二导电类型基区和第一导电类型源区、电流加强注入区，其中注入第二导电类型基区时采用倾斜注入，斜注入后第二导电类型基区在上表面靠近掩蔽层端形成圆弧型注入形貌；第一导电类型的碳化硅外延层上方设有栅氧化层，并设有栅极；第一导电类型的碳化硅外延层上方淀积设有隔离介质，在接触源区处开口，并蒸发设有欧姆接触金属和源极加厚金属形成的源极；晶圆正面淀积设有钝化层，并设有刻蚀开孔露出的金属电极。