公开/公告号CN212253996U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 广州市信诺光栅数显有限公司;
申请/专利号CN202020610813.3
申请日2020-04-21
分类号G01B11/02(20060101);
代理机构44572 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张丽
地址 510000 广东省广州市荔湾区西塱东西路三区一街7号102
入库时间 2022-08-22 18:51:18
机译: 存储器单元,即动态RAM,一种操作方法,涉及在提供用于将读信息从存储器区域传送到输出缓冲器的读指令之后的时间间隔,在存储器区域和输出缓冲器之间产生读连接。
机译: 薄膜磁性随机存取存储器包括数据读/写电路,以基于读/写数据电平向选定的位线提供数据读/写电流
机译: 基于阵列波导光栅尺的全光缓冲