高压半导体功率装置的边缘终接的结构

摘要

一种高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，在硅衬底中形成有核心沟槽及终端沟槽，其中所述终端沟槽比所述核心沟槽的深度深；所述核心沟槽及终端沟槽包括设于沟槽内侧壁和底部表面的氧化物，和位于所述氧化物之间的第一多晶硅。通过沟槽布局设计来改善边缘终止击穿的方法，从而能降低工艺成本；且通过沟槽布局设计，无需增加任何额外的掩模层或任何额外的处理步骤，即可实现高终端击穿电压，从而更好应用于较小尺寸的集成电路芯片范围。